我学过模拟电路，但是全忘了。重新学习MOS管相关知识，大部分都是整理出来的而非原创。如有错误，请多指教！ 　　

　　首先是上一张图片 　　

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　　总之，MOS管的工作原理 　　

　　NMOS的特性，Vgs大于一定值就会导通，适用于源极接地(低端驱动)的情况，只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V，其他电压，见手册)。 　　

　　PMOS特性，Vgs小于一定值就会开启，适合源极接VCC(高端驱动)的情况。然而，虽然PMOS可以方便地用作高端驱动器，但NMOS通常用于高端驱动器，因为它的导通电阻大，价格高，替代种类少。 　　

　　用MOS管设计开关电源或电机驱动电路时，大多数人会考虑MOS的导通电阻、最大电压和最大电流，很多人只考虑这些因素。这样的电路可能行得通，但并不优秀，也不允许作为正式的产品设计。 　　

　　1.MOS管的类型和结构 　　

　　MOSFET晶体管是FET的一种(另一种是JFET)，可以做成增强型或耗尽型，有P沟道或N沟道四种。然而，实际使用的只有增强型N沟道MOS晶体管和增强型P沟道MOS晶体管，所以NMOS或PMOS通常被称为这两种类型。 　　

　　至于为什么不用耗尽型MOS管，不建议提问。 　　

　　对于这两个增强型MOS晶体管，通常使用NMOS。原因是导通电阻小，容易制造。因此，在开关电源和电机驱动的应用中，一般采用NMOS。在下面的介绍中，主要使用NMOS。 　　

　　MOS晶体管的三个管脚之间存在寄生电容，这不是我们所需要的，而是由于制造工艺的限制。寄生电容的存在使得驱动电路的设计或选择更加麻烦，但又没有办法避免，后面会详细介绍。 　　

　　在MOS晶体管的原理图中可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个二极管称为体二极管，驱动感性负载(如电机和继电器)。这个二极管非常重要，用来保护电路。顺便说一下，体二极管只存在于单个MOS晶体管中，集成电路芯片中通常没有。 　　

　　MOS管的正确使用 　　

　　1三极管和MOS晶体管的基本特性 　　

　　晶体管是一种电流控制器件，控制集电极电流随基极电流的变化而变化。有NPN三极管和PNP三极管，符号如下： 　　

　　MOS晶体管是一种压控电流器件，利用栅极电压的变化来控制漏极电流的变化。有P沟道MOS晶体管(简称PMOS)和N沟道MOS晶体管(简称NMOS)，符号如下(这里只讨论常用的增强型MOS晶体管): 　　

2 三极管和MOS管的正确应用

（1）NPN型三极管，适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况。只要基极电压高于射极电压（此处为GND）0.7V，即发射结正偏（VBE为正），NPN型三极管即可开始导通。

基极用高电平驱动NPN型三极管导通（低电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND；优点是，①使基极控制电平由高变低时，基极能够更快被拉低，NPN型三极管能够更快更可靠地截止；②系统刚上电时，基极是确定的低电平。

（2）PNP型三极管，适合射极接VCC集电极接负载到GND的情况。只要基极电压低于射极电压（此处为VCC）0.7V，即发射结反偏（VBE为负），PNP型三极管即可开始导通。

基极用低电平驱动PNP型三极管导通（高电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC；优点是，①使基极控制电平由低变高时，基极能够更快被拉高，PNP型三极管能够更快更可靠地截止；②系统刚上电时，基极是确定的高电平。

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所以，如上所述

对NPN三极管来说，最优的设计是，负载R12接在集电极和VCC之间。不够周到的设计是，负载R12接在射极和GND之间。

对PNP三极管来说，最优的设计是，负载R14接在集电极和GND之间。不够周到的设计是，负载R14接在集电极和VCC之间。

这样，就可以避免负载的变化被耦合到控制端。从电流的方向可以明显看出。

（3）PMOS，适合源极接VCC漏极接负载到GND的情况。只要栅极电压低于源极电压（此处为VCC）超过Vth（即Vgs超过-Vth），PMOS即可开始导通。

栅极用低电平驱动PMOS导通（高电平时不导通）；栅极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC，使栅极控制电平由低变高时，栅极能够更快被拉高，PMOS能够更快更可靠地截止。

（4）NMOS，适合源极接GND漏极接负载到VCC的情况。只要栅极电压高于源极电压（此处为GND）超过Vth（即Vgs超过Vth），NMOS即可开始导通。

栅极用高电平驱动NMOS导通（低电平时不导通）；栅极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND，使栅极控制电平由高变低时，栅极能够更快被拉低，NMOS能够更快更可靠地截止。

所以，如上所述

对PMOS来说，最优的设计是，负载R16接在漏极和GND之间。不够周到的设计是，负载R16接在源极和VCC之间。

对NMOS来说，最优的设计是，负载R18接在漏极和VCC之间。不够周到的设计是，负载R18接在源极和GND之间。

3 设计原则

为避免负载的变化被耦合到控制端（基极Ib或栅极Vgs）的精密逻辑器件（如MCU）中，负载应接在集电极或漏极。

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